受到全球总体经济因素的干扰，第二季系统产品如智能型手机与平板计算机出货出货表现不如预期，零售记忆卡与随身碟市场同时对于第三季景气的不确定性升高与下半年旺季效应保持谨慎的态度，因此集邦科技预估2011年的NAND Flash位元需求量将成长72.4%YoY达到8,925M 16Gb equiv...
受惠于智能型手机与平板计算机的爆发性成长，内建式系统产品占整体NAND Flash 消耗量将首次突破 50%来到 60.4%的水平，显示未来 NAND Flash 产业的成长动能将开始由过去记忆卡与随身碟型态为主的市场，质变至智能型手机、平板计算机与固态硬盘等系统产品...
集邦科技预期NAND Flash供货商2011年位产出的成长仍将以制程技术升级为主，并将视市场需求状况适度地增加新的300mm晶圆产能，以维持NAND Flash市场能处于比较平衡的状况，以便减少价格下跌对获利性的冲击影响程度...
根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，全球DRAM产业第一季营收数字83亿美元，虽然DRAM合约均价较上季下跌30%，但受惠于第一季DRAM颗粒总产出量较前一季约成长15%，总括第一季DRAM厂总营收较去年第四季86亿美元小幅衰退4%左右...
根据集邦科技旗下研究机构 DRAMeXchange 调查指出，预估 2011 年 PC产业中 DT 出货量 149.7M 台，年增率 2.6%；NB(包含小笔电)215.2M 台，年增率 11%，小笔电 25.9M 台，年增率-22.2%...
3/11 日本东北 8.9 级的大地震，不但让数以万计家庭无家可归，更让全球DRAM 产业供应链受到严重的考验，如位在东北区域的信越化学及 SUMCO 的工厂停工就让全球硅晶圆产能顿失 20-25%，封测产业所需的 BT 树脂，东北的日立化成及三菱瓦斯化学亦囊括全球 80%的市场，其中还有产业所需的光阻、钯材及氮气等关键原物料，此次震灾中亦有受创，地震后 DRAM 厂除了确认现有原物料库存外，并确认配合厂商后续供货状况及启动第二供应链，让损失降到最低...
3 月 11 日下午在日本东北(Tohoku)地区发生芮式 9.0 级大地震的意外天灾消息传出后,已对近期的 NAND Flash 市场带来新的变量,由于目前日本震灾后的损失状况及基础设施的复原进度信息仍不太清晰,故我们仅先就现有的相关信息对 NAND Flash 市场做初步的可能影响评估...
根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门 DRAMeXchange 的调查，由于日本东北大地震冲击下，福岛一号核电厂停机，甚至引发辐射危机，亦造成日本东北区域大规模停电，3/14 日起东京电力公司针对受灾较轻的区域宣布展开分区限时限电措施，并优先以交通及民生用电为主，但受灾严重的宫城与福岛二县，电力恢复时间仍不明确。
根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，全球DRAM产业第四季营收数字86.4亿美元，虽然DRAM 总产出量较第三季约成长16%，由于第四季合约价跌幅高达40%，与第三季营收107.8亿美元比较仍下跌约20%左右...
集邦科技预期NAND Flash供货商2011年位产出的成长仍将以制程技术升级为主，并将视市场需求状况适度地增加新的300mm晶圆产能，以维持NAND Flash市场能处于比较平衡的状况，以便减少价格下跌对获利性的冲击影响程度，同时也将持续淘汰一些200mm晶圆的设备...
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