研究报告


半导体


2012年1月下旬 DRAM合约价格

2012/01/30

内存

 PDF

根据集邦科技(Trendforce Corp.)旗下研究部门DRAMeXchange的调查,虽然1月下旬DRAM合约价...

内存擂台-探讨 DRAM 与 NAND Flash 未来演进发展与竞合关系

2012/01/17

内存 , 闪存

 PDF

PC-DRAM 因为行动手持装置的兴起,在需求端与供给端皆面临巨大的影响。从需求面来看,消费者对于 PC 的需求,受到平板计算机的冲击而下滑,使得原先市场成长力道已低的 PC 市况更显疲弱,这对PC-DRAM 市场来说,无疑是一大考验;若从供给端来分析,全球 DRAM厂商为了因应行动手持装置兴起,纷纷切入 Mobile DRAM 市场,并透过调整产能与产品组合的方式,以减轻 PC-DRAM 需求下滑的冲击...

2012年1月上旬 NAND Flash合約价格

2012/01/16

闪存

 PDF

According to DRAMeXchange, a research division of TrendForce, 1H'Jan. mainstream NAND Flash contract price...

2012年1月上旬 DRAM合约价格

2012/01/10

内存

 PDF

根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查,1月上旬合约价...

DRAM 产业分析报告-4Q11

2011/11/11

内存 , 笔记型电脑 , 智能手机 +1

 PDF

全球DRAM产业于第三季度营收总计为约65.66亿美元,由于总体经济持续疲弱、供过于求情况加剧,第三季DDR3 4GB合约价均价由31美元下跌至19.5美,跌幅将近37%,第三季DRAM厂总营收与上季相较大幅衰退19.4%,除了三星半导体外,其余DRAM厂皆缴出亏损财报,加上DRAM厂于第四季积极转进30nm制程与DDR3 4Gb颗粒,2012年上半年供过于求仍超过15%,势必将加速DRAM产业的减产甚至整并...

NAND Flash 产业分析报告-4Q11

2011/11/11

闪存 , 笔记型电脑 , 智能手机 +1

 PDF

受全球经济复苏的不确定因素影响,多数供货商对1H12的市况多倾向保守,因此1H12的位元成长将会以制程技术升级为主来强化成本的竞争力,2H12时才会视市场需求的状况来适度地增加新的300mm晶圆产能,以缩小NAND Flash市场供过于求的缺口,以期能减缓价格下跌对获利性的冲击影响程度,预期主力制程技术将由2H11的2xnm级转进至2H12的 2ynm级,因此集邦预估全球NAND Flash市场位元供给量将由2011年的9213 M 16Gb equiv.成长67.7% YoY成为2012年的15448 M 16Gb equiv...

全球行动式内存市场 2011 年现况分析与 2012 年展望

2011/10/04

内存

 PDF

标准型 DRAM 再度陷入价格战,行动式内存成为兵家必争之地...

DRAM 产业分析报告-3Q11

2011/08/17

内存 , 笔记型电脑 , 智能手机 +1

 PDF

根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查,全球DRAM产业于第二季度营收总计为约81亿美元,受到日本地震所带来的缺货预期因素而有微幅回升,但受到茂德投片减少以及力晶转进非DRAM产品增加的影响,总营收与上季相比呈现1.9%的小幅衰退...

Baidu
map