2012 年行动装置蓬勃发展，苹果、谷歌、微软三大阵营各领风骚 ...
受到全球经济复苏不确定性的影响，多数NAND Flash供货商对1H12的市况仍倾向保守，因此2012年的供货商的位元产出成长来源仍将以制程技术升级为主，以缩小市场供过于求的缺口,及强化成本的竞争力,来减缓价格下跌对获利的冲击性，2012年厂商也将持续淘汰部分200mm晶圆厂设备...
5月8日尔必达正式宣布并入美光体系，三大DRAM阵营俨然成形，经由这次美光整并尔必达后，综合两家公司的市占率，泛美光集团可望一跃逼近24%，高过SK海力士(23.9%)，成为仅次三星成为市占率第二的内存品牌厂，泛美光集团将整合台美日DRAM厂产能，(新增)整合如美光的Flash制品、尔必达的行动式内存及台湾DRAM厂的制造能力，力抗韩系大军独大态势，DRAM产业于今年可正式走向寡占市场，三大DRAM阵营已俨然成形，有助于DRAM颗粒价格逐步走向健康面，避免以往动辄削价竞争的市场态势...
受全球经济复苏的不确定因素影响，多数NAND Flash供货商对1H12的市况仍倾向保守，因此1H12的位成长将以制程技术升级为主，来强化成本的竞争力，2H12开始将视市场需求状况再适度地增加新的300mm晶圆产能，以缩小NAND Flash市场供过于求的缺口，来减缓价格下跌对获利性的冲击，预期主力制程技术将由2H11的2xnm级转进至2H12的2ynm级，集邦科技预估全球NAND Flash市场位供给量，将由2011年的9181 M 16Gb equiv.成长70.6% YoY，成为2012年的15663 M 16Gb equiv...
三星囊括Mobile DRAM市场达54%市占率，韩系厂商占全球市场逼近75%，由于智能型手机与平板计算机的兴起，一线DRAM厂纷纷调高行动式内存的生产比重，三星半导体在行动式内存出货持续畅旺下，成为第四季唯一获利的半导体厂商。行动式内存价格方面，2011年第四季价格较上季约有10%的跌幅，LPDDR2 8Gb均价约17.4美元上下；而今年第一季适逢传统出货淡季，行动式内存仍将维持下跌走势，预估约有15~20%的跌幅...
全球DRAM产业于第三季度营收总计为约65.66亿美元，由于总体经济持续疲弱、供过于求情况加剧，第三季DDR3 4GB合约价均价由31美元下跌至19.5美，跌幅将近37%，第三季DRAM厂总营收与上季相较大幅衰退19.4%，除了三星半导体外，其余DRAM厂皆缴出亏损财报，加上DRAM厂于第四季积极转进30nm制程与DDR3 4Gb颗粒，2012年上半年供过于求仍超过15%，势必将加速DRAM产业的减产甚至整并...
受全球经济复苏的不确定因素影响,多数供货商对1H12的市况多倾向保守,因此1H12的位元成长将会以制程技术升级为主来强化成本的竞争力,2H12时才会视市场需求的状况来适度地增加新的300mm晶圆产能，以缩小NAND Flash市场供过于求的缺口，以期能减缓价格下跌对获利性的冲击影响程度，预期主力制程技术将由2H11的2xnm级转进至2H12的 2ynm级，因此集邦预估全球NAND Flash市场位元供给量将由2011年的9213 M 16Gb equiv.成长67.7% YoY成为2012年的15448 M 16Gb equiv...
根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，全球DRAM产业于第二季度营收总计为约81亿美元，受到日本地震所带来的缺货预期因素而有微幅回升，但受到茂德投片减少以及力晶转进非DRAM产品增加的影响，总营收与上季相比呈现1.9%的小幅衰退...
受到全球总体经济因素的干扰，第二季系统产品如智能型手机与平板计算机出货出货表现不如预期，零售记忆卡与随身碟市场同时对于第三季景气的不确定性升高与下半年旺季效应保持谨慎的态度，因此集邦科技预估2011年的NAND Flash位元需求量将成长72.4%YoY达到8,925M 16Gb equiv...
受惠于智能型手机与平板计算机的爆发性成长，内建式系统产品占整体NAND Flash 消耗量将首次突破 50%来到 60.4%的水平，显示未来 NAND Flash 产业的成长动能将开始由过去记忆卡与随身碟型态为主的市场，质变至智能型手机、平板计算机与固态硬盘等系统产品...
