据TrendForce集邦咨询研究显示，在NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下，部分供应商为了减少亏损、降低成本，并寄望于今年重回获利。今年三月起铠侠/西部数据率先将产能利用率恢复至近九成，其余业者均未明显增加投产规模。
由于HBM售价高昂、获利高，进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。
据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，目前2024年HBM（High Bandwidth Memory）市场主流为HBM3，NVIDIA新世代含B100或H200的规格则为最新HBM3e产品。不过，由于AI需求高涨，目前英伟达（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏，除了CoWoS是供应瓶颈，HBM亦同，主要是HBM生产周期较DDR5更长，投片到产出与封装完成需要两个季度以上所致。
TrendForce集邦咨询研究显示，2023年第四季全球前十大晶圆代工业者营收季增7.9%，达304.9亿美元，主要受惠于智能手机零部件拉货动能延续，包含中低端Smartphone AP与周边PMIC，以及Apple新机出货旺季，带动A17主芯片、周边IC如OLED DDI、CIS、PMIC等零部件。其中，台积电（TSMC）3nm高价制程贡献营收比重大幅提升，推升台积电第四季全球市占率突破六成。
据TrendForce集邦咨询研究显示，全球智能手机产量在2023年第三季终结连续8个季度的年衰退，至第四季品牌进行年末冲刺以巩固市占率，带动去年第四季智能手机产量同比增长12.1%，约3.37亿支，而2023全年产量约11.66亿支，年减2.1%。