英特尔与美光于2018年1月8日共同宣布，在完成第三代3D NAND Flash研发后，双方将开启各自的研发之路，双方目前共同研发的第二代产品为64层3D NAND Flash，预计第三代将可堆栈96层，也意味着96层以后3D NAND Flash的产品研发，Intel将正式与美光分道扬镳。尽管这项决议不会对双方后续的制程提升、产品规划产生重大影响，但在确定分家之后，双方将有更大的弹性寻求新的合作伙伴。根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，英特尔与紫光集团正积极研拟后续合作计划，双方可望建立正式销售合作关系。
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，2017年第四季各供货商持续进行3D-NAND的扩产及良率提升，然需求面仅靠智能手机旺季需求动能延续，因此，2017年第四季合约价仅eMMC/UFS上涨0-5%，其他部分如服务器/数据中心、PC及平板等需求力道减缓，合约价呈现持平，甚至出现小跌走势，整体NAND Flash市场趋于供需平衡。
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，2017年第四季为传统旺季，在智能手机市场需求转强的预期效应，以及北美数据中心需求强劲的带动下，主要供货商纷纷提高去年第四季行动式内存价格。整体而言，2017年第四季行动式内存涨幅平均落在10%~15%，产值达80亿美元，较前一季成长23.6%，产值再攀新高。
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，回顾2017年第四季，其中北美数据中心的需求持续强劲，即使原厂透过产品线调整，但仍无法有效纾解市场供给吃紧的状况。Server DRAM受惠平均零售价(Average Selling Price)的上扬，三大DRAM原厂Server DRAM营收季成长约13.9%。
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，2017年第四季的DRAM产业营收表现再创历史新高。从价格方面来看，受到行动式内存接棒涨价所带动，以及智能手机旗舰机种的旺季效应，以三星为首的DRAM厂拉抬行动式内存报价，带动行动式内存在第四季有5-20%不等的涨幅(取决于不同的容量)，而其余各类DRAM产品合约价亦普遍较前季再上涨约5-10%。2017年第四季DRAM产值较上季再成长14.2%，全年产值成长率达76%。