根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示，由于今年智能型手机、平板计算机及Ultrabook客户的OEM订单多集中在九月到十一月初进行备货准备，故多数NAND Flash供货商也将产能供应给需求相对较佳的系统产品为优先，另外加上中国大陆十一长假前，部分下游客户库存回补需求也有回温，故10月上旬主流MLC NAND Flash合约均价持续上涨约3-17%，其他芯片合约价则大致呈现持平状况。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查数据显示，从PC ODM出货预估做观察，今年度PC整机的出货高峰期已过，十月份NB出货量已呈现逐步下滑走势，代表DRAM需求量亦逐月变小。由于4GB模组已经正式成为出货主流，相较于2GB模组跌价幅度较为明显，均价跌幅为1.54%，来到US$16价位，而低价更跌破US$16来到US$15.75，换算2Gb颗粒仅US$0.83，几乎与现货颗粒价格同价。从2GB模组价格观察，与九月下旬合约价相同，均价仍为US$9.25，显示在模组价格跌无可跌情况下，DRAM供货商策略性的将出货集中在高容量4GB模组，冀望能够在需求低迷时带动单机搭载容量以刺激销售。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查，行动式内存受惠于智能型手机与平板计算机等行动装置出货持续成长，在内存产业中的总产出比重也从2010年的11%逐年提升，预计2012年行动式内存的产出比重将提升到21%，到2013年将更进一步提升到24%。其中LPDDR2的产品因为主芯片规格提升后需求量也将增加，今年第二季价格追平LPDDR1后，LPDDR2在行动式内存总出货量达六成以上，确立在行动式内存的主流地位。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查，受到终端市场需求转变影响下，标准型内存产出比例呈现逐年减少的走势，今年首度降至总产出的50%以下，获利率亦属最差的产品别。在非标准型内存方面，由于云端运算的兴起以及手持式装置的高普及性，受益最大的两个产品类别即是服务器内存及行动式内存。TrendForce表示，2013年服务器内存及行动式内存总产出比重将超过四成，高过于标准型内存的位元产出量，正式成为供给端主流。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查，受到原厂持续紧缩供货的策略以及第四季智能型手机与平板计算机新机种备货需求的带动下，九月下旬主流NAND Flash合约价上涨7.5%-11%，为第三季以来单月份首度价格上扬的时间点，32Gb与64Gb的MLC涨幅较大，TLC涨幅相对较小，短线上NAND Flash市况可望维持目前稳定的格局，价格部分也有机会持续上升，而从供给面与需求面的因素分析，目前的市况主要影响层面来自于: