根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查数据显示，2012年NAND Flash市场受全球景气复苏缓慢的影响，前三季需求一直呈现低迷不振的情况，但第四季初在一些智能型手机及平板计算机新机型上市备货需求回温，及东芝减产效应发酵，第四季NAND Flash市场转变成为供需偏紧的状况，ASP走势与上季约略持平，整体NAND Flash品牌供货商的位元出货量则较上季成长约15% ，营收较上一季成长14.6%，来到53亿4百万美元， 2012年全年营收较去年下跌约6.6% 。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示，与12月下旬的上涨激励因素相同，受惠于两大韩厂PC DRAM的产出逐渐减少，虽然首季需求端的表现并不突出，但在PC OEM预测供给会愈来愈不稳定的前提下，模组合约价格持续上扬，主流商品4GB品项最高价达到17.5美元，涨幅超过7%。2GB模组最高价涨幅也突破10%，来到10.25美元价位，短期内续涨动能仍强，下旬价格将可望挑战18美元，持续向20美元关卡迈进。现货市场亦同，自今年初开始，2Gb颗粒均价已经上涨13%到达约1.19美元，无论现货与合约市场走势皆维持强势上涨格局。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示，12月上旬合约价格受到现货价格拉抬的激励，平均涨幅约2%，下旬合约价更延续上旬上涨的气势，尤其是主流模组4GB的高价位价格上涨最多，达到3.17%，成交价格落在美金16.25元，与合约均价价格(美金15.75美元)的价差已经拉大到呈现0.5美元的间距，显示不同DRAM供应厂商的议价能力已经有显著的差异。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查，虽然对于明年景气保守看待，不过智能型手机、平板计算机仍可稳健成长，而超轻薄笔电(Ultrabook)的渗透率也将逐季提升，因此我们对于eMMC与SSD的发展依旧持正面看法，整体NAND Flash需求位元年成长率也可达47.6% 。另外，2013年NAND Flash供给端在约当12吋投片产能仅较2012年增加4%、资本支出预计较今年减少22% 的情况下，整体产出位元成长率仅约为41%。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示，继11月下旬DRAM合约价格小跌3.17%，受到现货价格的激励，12月上旬的模组价格亦同步呈现上扬走势，4GB均价回到US$15.5水位，小涨1.64%；2GB模组均价同样受惠，回到US$8.9水位，涨幅同样有1.71%。观察此波上涨趋势，虽然幅度仍小，但在需求端持续低迷的情况下还能够止住跌势，足以显示PC OEM端在历经漫长的库存调节之后总算回到相对健康的水位，买货意愿亦逐步提高。