根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，由于系统装置如智能型手机、平板计算机、单眼相机等，仅少数机种能支持SD 3.0接口，以及主要需求来自出货量占整体市场比重较低的零售通路市场，使2013年全球SD 3.0记忆卡渗透率约10%。预期上述两大不利因子自2014年起有机会逐渐改善，再加上龙头厂商们为了提升获利质量也会加速提高SD 3.0产品比重的情况下，2014年SD 3.0渗透率有机会挑战20%水平。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，持续受到SK海力士火灾影响，供给面出现短缺使得合约价格持续上扬，主流模组4GB最高价格已经站上34美元，与九月相较成长6.25%，换算4Gb颗粒价格后单颗颗粒最高为3.94美元，已经逼近4美元大关，与当前现货价格4Gb颗粒最高价4.25美元尚有约8%的价格差距，预计在下旬合约价公布后，现货与合约颗粒价格将更为贴近。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，虽然SK海力士无锡厂火灾后将部分NAND Flash产能移往DRAM，但由于中国十一长假销售情况疲软，加上厂商对于后续紧接而来的欧美感恩节与圣诞节销售预估转趋保守，使得十月上旬NAND Flash市场交易清淡，主流NAND Flash合约价依旧持平开出。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，由于市场预期SK 海力士中国工厂火灾事件会减少未来NAND Flash供货，使得9月下旬合约价较8月下旬上涨3-6%。
关于SK海力士无锡厂火灾影响后续追踪，全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，无锡厂双子星设计架构一部分是由原先八吋厂改建完成，此区块产能较小，而此次火灾起火点为新厂区部份，以无锡厂的130K月产能来观察，直接受创的产能将高达100K左右，而另外30K的产能也因遭浓烟入侵，至今未见复工，目前无锡厂九月及十月的投片与产出极有可能呈现零投片与零产出的状况。为了避免影响客户端的采购策略，SK海力士已经紧急启动增加M10厂的产能，并把M12厂的NAND产能逐步转入DRAM产品，努力让无锡厂的伤害降到最低。