TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，全球行动式内存总营收在第三季达34.6亿美元，季成长6%，占DRAM总产值29%。三星半导体不出意外仍稳居第三季行动式内存龙头地位，而且市占首度突破50%，俨然成为一方霸主，让位居二、三名的SK海力士与美光的市占率再度拉大。虽全球DRAM产能依旧处于微幅吃紧状态，导致第三季行动式内存价格小幅度下滑，但因位产出增加，全球行动式内存总产值仍向上提升。
TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新报价显示，长达半年的DRAM合约价涨幅正式宣告终止，DDR3 4GB模块11月上旬合约价下跌3.1%，均价来到31.75美元，合约高价更从33.5美元下滑至32美元，跌幅高达4.5%。
随着中国市场近几年的蓬勃发展与政策开放，GDP成长率呈现高度的成长，所伴随而来的就是惊人的消费潜力，无论是PC、智能型手机与平板市场都把中国市场列入第一战区。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新研究显示，以2Gb颗粒来换算，2014年中国市场在DRAM与NAND的消化量已经高达47.89亿颗与35.18亿颗，分别占全球产能19.2%与20.6%。
TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新研究报告显示，第三季三大DRAM厂积极 调配旗下产能以应付苹果iphone新机庞大行动式内存的需求，在排挤效应下，标准型内存 产出减少，带动第三季合约价格持续上涨，供货吃紧下标准型内存蝉联毛利最高的DRAM产品。DRAMeXchange表示，2014年第三季DRAM产值达120亿美元，较上季成长11%，单季营收再度创下新高。
第三季NAND Flash市况在苹果iPhone6/6Plus新机上市备货需求强劲与OEM业者进入出货旺季的带动下，eMMC/eMCP与SSD的成长力道均高于上半年，NAND Flash价格表现也相对稳健，使得第三季NAND Flash品牌供货商营收较上季增加12.2%至85.8亿美元。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，新制程的嵌入式产品自第三季起成为市场主流，有助于各家业者成本结构的改善，而随着苹果第四季iPhone表现持续亮眼以及新产品的问世，整体NAND Flash市况将呈现稳健走势。