2015年6月23日中芯国际与华为、比利时微电子研究中心（imec）、高通附属公司Qualcomm Global Trading Pte. Ltd.宣布共同投资「中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司」，开发下一代CMOS逻辑制程，打造中国最先进的集成电路研发平台，目前计划以14nm制程研发为起点，并在中芯国际的生产在线进行研究。新公司的资本额规模与持股分配目前虽还未确定，但是由中芯国际的首席执行官兼执行董事邱慈云博士担任法人代表及副总裁俞少峰博士担任总经理的安排可推测，未来公司主导权将落在中芯国际手中，华为、imec与高通则仅占部分持股。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新研究报告显示，随着NAND Flash制程往下演进至15/16奈米及3D-NAND Flash，固态硬盘（SSD）价格滑落的速度也逐步加快，第二季度128GB Client-SSD OEM合约均价已下探至US$50，256GB也接近US$90的水平，预期第三季随着3D-NAND Flash出货比重开始攀升，笔记本电脑SSD渗透率攀升速度将加快。DRAMeXchange预估2015年的笔记本电脑SSD渗透率将突破30%大关，更可望在2017年超越50%。
Trendforce旗下记忆体储存事业处DRAMexchange最新调查显示，全球行动式内存总营收在今年首季达到35.76亿美元，季度衰退不到1%，占DRAM总产值的29.8%，并且有持续扩大趋势。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第一季主要受惠于三星23nm产出的增加，行动式内存整体出货比上季增加8.2%，加上行动式内存平均销售单价与其他产品别相对抗跌，全球行动式内存整体营收规模持续扩大。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，第一季DRAM合约均价较上季跌幅达11%，加上笔电市场与智能型手机步入传统淡季，因此全球DRAM产业第一季总产值衰退达7.5%，营收来到120亿美元。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查报告显示，受到新款智能型手机上市以及今年苹果新款iPhone即将开始拉货的影响，NAND Flash市况将逐渐增温，预估在第三季摆脱供过于求，转为较为供需平衡的格局。