TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）最新调查显示，受惠于全球智能手机进入传统备货旺季，加上各DRAM产品价格同步上扬，第三季行动式内存总产值达45.88亿美元，季成长约16.8%。
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）最新研究显示，展望2017年第一季，受惠于中国农历新年的备货需求，及买方普遍认同供货吃紧仍将持续，标准型内存4GB模组均价将往20美元迈进，预估季涨幅约15%。其他如服务器内存、行动式内存与利基型内存等产品价格预估也将同步攀升，呈现淡季不淡的格局。
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）表示，受惠于全球智能手机出货成长，及内存搭载量不断攀升，第二季开始DRAM原厂逐步降低标准型内存的产出，转为行动式内存与服务器用内存。在供应逐渐吃紧下，第三季开始标准型内存价格呈上涨走势，同时带动其他类别内存的价格上扬。使得第三季全球DRAM总体营收较上季大幅成长约15.8%。
全球市场研究机构TrendForce集邦科技今日（10日）于台大国际会议中心101室举办集邦拓墣2017年科技产业大预测研讨会。本次研讨会精彩内容节录如下：
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）表示，DRAM原厂与一线的PC-OEM（代工）大厂敲定第四季度的合约价格，4GB模组均价来到17.5美元，较上月的14.5美元上涨逾20%；现货市场也依然维持强劲的上升格局，DDR3／4 4Gb价格分别来到2.46／2.48美元，较上月同期比较已上涨17%与24%，显见市场对于后市上涨仍将持续保持乐观的态度。