根据TrendForce集邦咨询最新调查,存储器模组厂从2023年第三季后开始积极增加DRAM(内存)库存,到2024年第二季库存水位已上升至11-17周。然而,消费电子需求未如预期回温,如智能手机领域已出现整机库存过高的情况,笔电市场也因为消费者期待AI PC新产品而延迟购买,市场继续萎缩。这种情况下,以消费产品为主的存储器现货价格开始走弱,第二季价格较第一季下跌超过30%。尽管现货价至八月份仍与合约价脱钩,但也暗示合约价的潜在趋势。
TrendForce集邦咨询表示,2024年第二季模组厂在消费类NAND Flash(闪存)零售渠道的出货量已大幅年减40%,反映出全球消费性存储器市场正面临严峻挑战。存储器产业虽一向受周期因素影响,但今年上半年的出货下滑明显超出市场预期,这预示着下半年的需求不会大幅回温。
通货膨胀和利率攀升等因素冲击消费者支出意愿,间接导致消费类存储器模组的出货量下降。此外,NAND Flash wafer(晶圆)价格持续上涨,使得模组厂的营运成本大幅增加。然而,由于终端产品价格必须保持吸引力以刺激消费需求,模组厂无法反映增加的成本,利润空间进一步被压缩。
TrendForce集邦咨询指出,目前还未明确观察到AI手机或AI PC在接下来几季能有合理的应用出现,即使渗透率因平台商推广而有所提高,也难以带起全面换机潮,因此无法带动DRAM价格。
从2025年的情况来看,虽然预期DRAM价格会逐季上扬,但原因是HBM3e(第五代高带宽内存)渗透率持续提升拉高均价,以及供给端缺乏新产能而有所限制。如果消费性需求持续疲软,DRAM价格上涨的幅度将低于预期。
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