根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，第二季行动式内存合约价持续受到第一季非市场因素的影响，报价普遍趋于保守，涨价幅度低于其他应用别产品，以分离式行动内存(discrete)来说，第二季平均涨幅落在1%以内，eMCP则受NAND Flash价格下跌影响，平均价格跌幅约1%。
DRAMeXchange指出，展望第三季，随着传统旺季来临，智能手机生产数量预估将较第二季成长5%~10%。从行动式内存供给面来看，受到SK海力士及美光投片增加贡献，以及新制程转进良率提升等带动产出，可望稍加缓解第三季供给紧张的态势，预估第三季合约价走势和第二季相似，分离式行动内存价格将持平或略为小涨，eMCP价格则可望持平或略为下跌。
另一方面，主流供货商为有效消耗NAND Flash产能，积极营销智能手机搭配大容量(More NAND)eMCP，并祭出优惠价吸引买气，从中国品牌Huawei、Xiaomi、OPPO、Vivo于上半年度发表的旗舰新机上可见端倪，相较于去年主流的64GB+32Gb规格，品牌厂今年纷纷将内存规格提升至128GB+48Gb。
前述主流供货商提升NAND Flash容量的策略，确实舒缓原先3D NAND Flash产能开出恐导致产能过剩的状况，然而，与NAND Flash搭配的DRAM容量也由去年主流的32Gb拉升至48Gb，需求大幅成长，使得原本供给已吃紧的LPDDR4X系列面临更大的供给缺口。DRAMeXchange指出，由于下半年将有iPhone新机及Android阵营旗舰新机的推出，预估LPDDR4X的搭载比例将较上半年提升，因此，厂商恐将面临LPDDR4X备料难度的提升，以及议价空间压缩的情况。
DRAMeXchange指出，观察行动式内存价格波动，相较于PC、服务器用内存价格今年上半年仍持续走扬，行动式内存市场受到手机生产生命周期短、采用规格多且复杂，加上手机AP绑定内存产品规格等特性影响，以及手机品牌成本压力持续增加，原厂若大幅调涨合约价将冲击品牌厂提高手机搭载容量的意愿等因素，使得行动式内存价格波动相对较小，预计此缓涨、缓跌的格局将持续。
