集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，中国存储器产业目前以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于行动式内存的合肥长鑫，以及致力于利基型内存晋华集成三大阵营为主。以目前三家厂商的进度来看，其试产时间预计将在2018年下半年，随着三大阵营的量产的时间可能皆落在2019年上半年，揭示着2019年将成为中国存储器生产元年。
DRAMeXchange指出，从三大厂目前布局进度来看，合肥长鑫的厂房已于去年6月封顶完工，去年第三季开始移入测试用机台。合肥长鑫目前进度与晋华集成大致雷同，试产时程将会落于今年第三季，量产则暂定在2019年的上半年，时程较预期落后。此外，由于合肥长鑫直攻三大DRAM厂最重要产品之一的LPDDR4 8Gb，尔后面临专利争议的可能性也较高，为了避免此一状况，除了积极累积的专利权外，初期可能将锁定于中国销售。
反观专注于利基型记忆的晋华集成，在2016年7月宣布于福建省晋江市建12英寸厂，投资金额约53亿美元，以目前进度来看，其利基型内存的试产延后至今年第三季度，量产时程也将落在明年上半年。
此外，从中国厂商NAND Flash的发展进程来看，2016年12月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动土，官方预期分三阶段，共建立三座3D-NAND Flash厂房。第一阶段厂房已于去年9月完成兴建，预定2018年第三季开始移入机台，并于第四季进行试产，初期投片不超过1万片，用于生产32层3D-NAND Flash产品，并预计于自家64层技术成熟后，再视情况拟定第二、三期生产计划。
DRAMeXchange指出，观察中国存储器厂商的研发与产出计划，2019年将是中国存储器产业的生产元年，但也由于两家DRAM厂预估初期量产规模并不大，短期尚不会撼动全球市场现有格局。
长期来看，随着中国存储器产品逐步成熟，预计2020-2021年两家DRAM厂商现有工厂将逐步满载，在最乐观的预估下，届时两家合计约有每月25万片的投片规模，可能将开始影响全球DRAM市场的供给。另一方面，长江存储计划设有的三座厂房总产能可能高达每月30万片，不排除长江存储完成64层产品开发后，可能将进行大规模的投片，进而在未来三到五年对NAND Flash的供给产生重大影响。
