中国半导体发展风起云涌，在市场、国安等考虑下，存储器成为中国重点发展项目。根据全球市场研究机构集邦咨询最新「中国半导体产业深度分析」报告指出，随着中国庞大的资金与地方政府的资源进军半导体中的存储器领域，中国包含福建晋华、合肥长鑫与紫光集团在内的三大阵营已成形。
集邦咨询指出，中国存储器产业的发展，尽管早期如紫光集团与美光洽谈技术合作无疾而终，或是并购相关技术母厂多失败收场，但中国积极吸收专业人才，或是日韩的技术人才皆为中国半导体厂目标，并且从技术授权转为自主研发，处处可见中国进军存储器产业的强烈决心。
两大阵营抢布局DRAM，分别从利基型内存与行动式内存切入
从存储器产品中的DRAM产业来看，中国在发展策略上已有逐步收敛之势，并非杂乱无章。以技术布局的角度观察，中国DRAM领域中除了绘图用内存未有厂商布局，其他都有厂商按照计划发展中。
中国DRAM产业目前已有福建晋华、合肥长鑫两大阵营。福建晋华专注利基型内存的开发，主攻消费型电子市场，有望凭借着中国本有的庞大内需市场壮大自身产能，甚至在补贴政策下，预估最快2018年底可能将影响国际大厂在中国市场的销售策略，并且有机会取得技术IP走向国际市场。
相较于福建晋华避开国际大厂的主力产品，合肥长鑫直捣国际大厂最核心的行动式内存产品。行动式内存已是内存类别中占比最高的产品，其省电技术要求极高，开发难度相当高。然而，中国品牌手机出货已占全球逾四成，倘若LPDDR4能顺利量产并配合补贴政策，中国政府进口取代的策略即可完成部分阶段性任务。
NAND Flash以长江存储布局最速，初期产品仍锁定低端产品
观察中国在NAND Flash领域的发展，以紫光集团旗下的长江存储为中国最快成军的开发厂商，初期也将以中国内需市场的布局为主。由于长江存储开发早期技术力不足，难以与一线大厂相抗衡，预估其初期产品会以卡碟类为大宗。随着长江存储技术发展来到64/96层才有机会进军SSD市场，但此市场技术竞争相当激烈，没有中国政府的支持，短期会难以在成本上取得优势，利用中国内需市场壮大自己将是紫光集团未来可行的策略。
而武汉新芯随着长江存储的成立后，将专注于NOR Flash的开发，虽然长江存储的NAND Flash试产线暂放在武汉新芯，但随着长江存储于武汉未来城基地建构完成后，未来也将各自独立。
集邦咨询指出，以目前现况来看，中国发展存储器的策略能否成功，未来的3~5年将是极其重要的关键期，特别是强化IP的布局，中国政府以及厂商未来必须凭借内需市场、优秀的开发能力，以及具国际水平的产能，取得与国际厂商最有利的谈判筹码，才有机会立足全球并占有一席之地。
