集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新研究显示，由于供给吃紧态势尚未改变，2017年服务器内存第一季合约价上扬近四成，预估第二季将更进一步上涨约一成水位，其中DDR4 16GB服务器模组将迈向130美元大关。
DRAMeXchange表示，自2016年第四季起，服务器内存便在标准型内存的供货吃紧下连带涨价，且受惠于2016下半年大型标案，整体备货力道超出预期。展望2017年，由于DRAM原厂对内存资本支出趋于保守，产能扩增受限，整体市场供给仍将吃紧，预估2017上半年服务器内存价格仍会延续涨价走势。
整体服务器内存制程迈进20纳米以下，高容量模组加速渗透
从内存产出制程来分析，三星今年的重点将会是提高18纳米制程的投片，同时SK海力士与美光阵营也会提高其20／21纳米高容量晶圆颗粒与良率，进而提升整体高容量服务器模组的渗透率。
此外，目前如华为、浪潮等中国服务器厂商皆已通过原厂先进制程的验证，预计在今年第二季大量转进至20纳米以下之制程，并规划于今年第四季前达到近六成的20纳米产品规划，可以预期高容量模组如16GB与32GB的服务器应用将更多。
DRAMeXchange指出，2017年20纳米将成为服务器内存主要供应制程，8Gb mono die成为市场主流颗粒，使得16GB与32GB容量的服务器模组取得更加容易，再加上下半年英特尔与超威新服务器平台的导入，将迫使如广达等一线代工厂提升服务器内存模组的配置，以改善整体效能。然而，单机搭载容量的提升依旧是今年服务器内存最主要的成长动能。
