中国内存大厂武汉新芯新建内存晶圆厂将从本月底动工修建，目标最快在2018年初开始生产内存芯片，初期规划将以目前最先进的3D-NAND Flash为主要策略产品，意味着近两年来中国在极力发展内存产业下，将开始进入新的里程碑。TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange研究协理杨文得指出，现阶段武汉新芯主要以生产NOR Flash为主，月产能约为2万片左右，在NAND Flash产业也展现强大的企图心。
不同于国际NAND Flash大厂，武汉新芯选择与飞索半导体（Spansion）共同合作开发3D-NAND Flash技术，并在去年完成初期芯片电气测试后，持续往更高的堆叠数迈进，目标2017年底或2018年初推出3D-NAND Flash的产品来切入高增长性的闪存存储产业，也透过尽早导入新技术的方式，缩短与现今国际NAND Flash大厂的差距。武汉新芯规划的新厂产能为长期20万片，产能的提升必需要伴随未来技术开发的成熟、生产的稳定。20万片为长期的最终计划，非短期能达成，预估较明显的产出提升将在5~10年之后。
国际NAND Flash大厂加速在中国布局生产制造
杨文得表示，英特尔大连厂自今年第四季加入生产行列的带动下，来自中国生产的NAND Flash晶圆将占全球的8%，2017年第三季前可超过10%，显示中国发展NAND Flash产业的积极度也让国际大厂加速布局。
目前NAND Flash产业中，三星量产3D-NAND Flash且已在各大PC-OEMs业者中获得不错的市场份额，第三代3D-NAND Flash也将完成产品测试，可望在2016下半年随着新款笔记本电脑铺货的需求而开始量产。
其他NAND Flash业者也陆续加速3D-NAND Flash的开发，自今年下半年将可开始导入相关固态硬盘的需求应用而出货。DRAMeXchange预估2016年整体NAND Flash产业的3D-NAND Flash产出比重将可快速攀升至20%，较去年的6%有显著增长，将可让相关固态硬盘的普及与渗透率增长更加快速。
