全球市场研究机构TrendForce表示，标准型内存经过两年价格崩跌，产值大减的负面循环之后，2013年首先出现价格反转契机。今年以来主流产品4GB模块合约价上扬近六成，带动服务器与行动式内存平均销售单价止跌反弹，即使在位供给年成长有限的情况下，今年度产值年成长可望大幅增长30%。NAND Flash部分也随着行动装置销售增长以及产业结构性调整，市场供需状况已大幅改善，2013年整体产值将在需求持续成长以及ASP跌幅收敛的利多下，较2012大幅成长27.2%来到美金257亿元，需求位成长率可达到48.8%。
2014年DRAM持续缓步复苏，三星独大态势不变
2013年的DRAM产业正进行大幅度的结构性调整，供需以及销售价格改善牵动产值缓慢复苏。除了企业之间进行整并与重整外，因应云端以及行动手持产品领域需求快速增长，DRAM供货商经营模式转向其他更高毛利的产品别，企业获利能力也因产品多角化(diversification)的程度而出现更大的差异。TrendForce表示，DRAM供货商无法仰赖个人计算机(PC)等消费性产品，因此针对需求位成长的预测也逐年趋缓，因此资本支出也将转趋保守，除了制程转进的相关投资外，并未有建置新产能的计划。
展望2014年，由于厂商制程转进已经濒临物理极限，预计2014年2X奈米将成为主流制程，后续获利能力将取决于高附加价值的产品(LPDDR4 or DDR4)以及下一个世代的堆栈技术(3D-IC, TSV)，单纯供给位成长已退居为次要的获利指标。由于制程持续微缩的难度大幅增高，在EUV (Extreme ultraviolet lithography )机台尚未齐备的前提下，DRAM产业未来数年的展望将可望延续2013年度缓慢复苏的态势，过往价格端大起大落的巨幅波动将成为历史。
TrendForce进一步表示，2014年三星半导体挟其高度垂直整合的企业结构囊括DRAM一半市占的态势将维持不变，行动式内存事业将更受惠于其自有品牌的智能型手机出货而可望进一步提升营业利益(Operating Margin)。美商美光半导体与日商尔必达正式合并以后，不论是产能(Capacity)或是产品组合都能够与位居第二的韩系厂SK Hynix一较高下，除了固有标准型内存以外，随着隶属行动式内存产品类别的eMCP(emmc multi-chip package)日趋普及，闪存(NAND FLASH)技术将成为竞争胜出的关键。
需求成长与价格稳定，2013年NAND Flash产值成长27%
NAND Flash方面，智能型手机、平板计算机与Ultrabook销售佳绩带动NAND Flash内嵌式应用eMMC与SSD出货动能，加上NAND Flash供货商今年多数暂缓产能扩充以及节制产出，大幅改善产业的供给与需求状况，NAND Flash价格走势也稳定许多，因此2013年NAND Flash整体产值将在需求持续成长以及ASP跌幅收敛的利多下，较2012大幅成长27.2%来到美金257亿元，需求位成长率可达到48.8%。
从需求面来看，TrendForce预估2013年整体智能型手机规模将上看9亿3千五百万只，较2012年年增38%，平板计算机市场也在各家业者持续推出多元化的产品与白牌平板的兴起，2013年出货量将达到2亿台，将超越笔记本电脑的市场规模。此外，随着智能型手机功能与硬件规格逐步提升，加上消费者对于产品效能与多媒体影音要求也日益增加，愈来愈多中低阶手机也搭载eMMC有助于推升eMMC渗透率，TrendForce认为eMMC的高速发展将持续扮演整体NAND Flash需求端的成长引擎。
从供给端来看，2013年NAND Flash供货商资本支出与产能扩张计划显得相对保守，绝大多数增加的产出来自于制程转进，由于eMMC与SSD对于产品效能与可靠性的要求较高，预期今年20奈米产品比重全年将依旧维持70%以上，更为先进的制程技术应用预期发酵时间点将落在明年。因此今年产出有限情况下，整体产出位年成长率将仅有41.5%。
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