根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查数据显示，从PC ODM出货预估做观察，今年度PC整机的出货高峰期已过，十月份NB出货量已呈现逐步下滑走势，代表DRAM需求量亦逐月变小。由于4GB模组已经正式成为出货主流，相较于2GB模组跌价幅度较为明显，均价跌幅为1.54%，来到US$16价位，而低价更跌破US$16来到US$15.75，换算2Gb颗粒仅US$0.83，几乎与现货颗粒价格同价。从2GB模组价格观察，与九月下旬合约价相同，均价仍为US$9.25，显示在模组价格跌无可跌情况下，DRAM供货商策略性的将出货集中在高容量4GB模组，冀望能够在需求低迷时带动单机搭载容量以刺激销售。
受到总体经济影响，各DRAM厂的颗粒价格已经逼近甚至跌破现金成本，需求迟迟未见起色，打乱DRAM供货商原先要转出PC DRAM产能的脚步，目前仍呈现供过于求状态。时序即将进入2013年，各家厂商亦着手进行明年生产策略规划，TrendForce观察，即便是身为产业龙头的三星半导体，对明年的资本支出以及位元成长也保持高度谨慎态度；除了放缓28奈米的转进时程之外，在EUV时代前仅计划再转进至25nm，并且以获利率的考虑下，将先进制程优先导入行动式内存，显见整个产业策略的重心已经从过去的PC DRAM转向手持式装置。展望2013年，TrendForce预估产业环境转变会逐渐尘埃落定，竞争者汰弱留强之下位元产出会逐渐放缓，与后PC时代的需求端接轨。
供货商制程转进脚步放缓 ，2013年供给位元成长历年最低
往年受到PC换机潮的带动，DRAM供货商莫不加紧脚步做制程转进，以求成本结构的优化，从2009年的60nm直到2012年的30nm，每年几乎是以1~1.5世代做交替。然而，除了受到总体经济持续低迷的影响，PC出货量逐年衰退，再加上近年来智能型手机与平板计算机排挤消费者原本就有限的预算，使得PC的换机周期由原先平均2-3年拉长至4-5年间，买气迟迟无法有效提升。
就DRAM供给端而言，制程演进同时换来大量增产，造成近年供过于求市况持续，DRAM产值不断萎缩，绝大部分的厂商遭受严重亏损，资本支出规模亦逐年下降。以市占最大的韩系厂三星与SK海力士而言，现今主流制程仍以30nm为主，至于最先进的20nm由于设计难度甚高，预估要明年第二季后才有过半的产出量，正式成为出货最大宗。由于三星的20nm仍以服务器内存与行动式内存为主，标准型DRAM的生产反而会以40与30nm持续供应，预估明年供货的位元增长仅为19%，与往年相较已呈现大幅趋缓。美光与尔必达正在进行30nm的制程转进，其中尔必达已经完成客户验证，逐月放大该制程出货量。
但对台系厂而言，由于亏损幅度较大，除了制程演进速度逐步趋缓以外，也规划将PC DRAM产能陆续移出。后续南科将会淡出标准型DRAM的供给，转进利基型内存及代工业务，而力晶标准型内存出货也已大幅下修，目前每月投片量仅剩20K。在各生产者有共识的将脚步放缓的前提之下，TrendForce预估2013年的位元供给增长仅有22.2%，为历年来最低水位。
目前DRAM产业仍是完全竞争市场的态势，在严重供过于求的情况下，决定价格的控制权仍掌握在买方上。而现在无论是合约或现货市场，4GB模组价格都已跌到历史新低，且尚未观察到买气复苏迹象。价格能再下探的幅度有限，短期之内除了减产以缩减供货量外，长远而言，仍需要各竞争厂商一致性的调节产能，缩小资本支出期许2013年DRAM产业回归健康面。
