根据全球市场研究机构TrenForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示，自6月初起部分NAND Flash供货商为因应3Q12 某些系统厂商客户的新机种上市备货需求，已策略性地降低UFD与记忆卡主流应用的TLC产出比重，转而提高系统产品主流应用的MLC产出比重，以减缓需求较疲弱的记忆卡及UFD市场上供过于求的压力。虽然目前记忆卡及UFD市场的需求仍然平淡，但因2Q季底效应已过，且供货商在过去半年价格持续下跌影响下，2Q12获利率多已遭受明显的侵蚀，因此目前也不愿意再大幅地降价促销，再加上供货商预期部分智能型手机、平板计算机及 ultrabook客户的 OEM 订单可望在3Q12逐渐地回温，因此7月上旬 NAND Flash合约均价大致呈现持平，使2012年初以来持续下跌的走势出现了止跌回稳的状况。
展望3Q12的NAND Flash市场预期主要将受到以下的多空因素影响:
1. 虽然近期欧债争议已获得部份地解决，但市场多已预期2H12 全球经济的复苏力道将会减缓，故传统的2H欧美电子业旺季效应可能会不如往年型态。
2. 由于多数厂商的智能型手机，平板计算机及ultrabook 新机种上市时间为配合新的软硬件零组件的上市时间，可能会使NAND Flash的新产品上市备货需求递延集中到8月下旬到11月初。
3. 主要的NAND Flash供货商在预期 2H12的市场需求，将会由部分客户的新系统产品上市效应，来部分地弥补2H12旺季效应不旺的考虑下，多数的NAND Flash供货商多已酝酿计划将 2H12的产出成长速率放缓，以缓解市场供过于求的压力，供货商可能会采取暂停扩充新产能或将部分生产线转为生产 LSI或DRAM的方式来因应，同时因3Q12部分厂商20nm级新制程的良率仍在改善中，预期20nm级的产出比重在4Q12才会成为市场主流制程，也将有助于减缓3Q12的NAND Flash市场的供给成长速率。
4. 虽然1H12价格大幅下跌侵蚀了NAND Flash供货商的获利率，但也将有利于激励系统客户在2H12采用更高容量的 eMMC，mSATA 及SSD产品，预期随着20nm级制程技术在 4Q12逐渐成熟，将更有利于提高NAND Flash在智能型手机，平板计算机及PC应用中的单位储存容量。
综合上述的市场多空因素来分析，由于近期全球经济的复苏进展缓慢，业者对4Q12 的新产品上市实际销售状况仍无法预判，使得系统厂客户OEM的订单能见度也随之缩短到1-2个月，但供货商放缓3Q12的供货成长速率及多数下游客户库存水位近期已陆续降低中，短期内将有助于支撑 NAND Flash合约价止跌回稳，但后续反弹力道的强弱及能否持续仍需视 8-10月的市场实际需求强度而定。
