根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，由于智能型手机与平板计算机的兴起，一线DRAM厂纷纷调高行动式内存的生产比重，三星半导体也因为三星电子的品牌产品如Galaxy S2及Note的全球热卖，行动式内存出货持续畅旺下，成为第四季唯一获利的半导体厂商。行动式内存价格方面，2011年第四季价格较上季约有10%的跌幅，LPDDR2 8Gb均价约17.4美元上下；而今年第一季适逢传统出货淡季，行动式内存仍将维持下跌走势，预估约有15~20%的跌幅。
全球行动式内存自有品牌营收排名
从全球行动式内存营收排名来分析，韩系厂商三星营收仍为产业之冠，第四季营收微幅成长，总营收超越排名第二的海力士半导体甚多。三星半导体能在营收上胜出其他对手，除了在行动式内存的产出量远高过其他内存厂商，同时也具备NAND FLASH产品产出，以MCP (Multi Chip Package)专攻行动装置市场，创造更多营收与市占率。在制程转进方面，今年将以35nm制程为生产主力，加上其自有品牌智能型手机以及平板计算机出货畅旺，使得三星半导体在行动式内存在销售上超出其他制造商甚多。海力士半导体方面，目前生产主力为44nm制程，后续将会陆续转进38nm，未来将持续增加行动式内存生产比重并加速制程转进速度以增加获利能力。
日系厂商尔必达方面，于去年第四季行动式内存占比总产出的20%以下，尔必达在缺少NAND Flash产品线支持下，只能以行动式内存(discrete)单一出货，议价能力受限，后续在行动式内存的市场策略是否会有所调整，值得密切注意。台系厂方面，华邦目前行动式内存主流制程仍在65nm，制程上与日韩厂商相较已有差距，但46nm制程预计下半年会进入量产阶段，对于成本结构上将有相当程度的改善，华邦也希望在行动式内存方面，销售层级从目前低阶手机(Feature Phone)朝向中高阶来发展，产品线方面会从目前的Pseudo DRAM，逐步增加LPDDR内存的比重。
